后曝光氮?dú)夂嫦洌琍EB無(wú)塵烘箱

后曝光氮?dú)夂嫦洌琍EB無(wú)塵烘箱應(yīng)用工藝

   無(wú)塵烘箱所使用的高溫（100-130°C）會(huì)使光敏化合物擴(kuò)散，從而消除駐波波紋.百級(jí)潔凈度無(wú)塵化，專用于半導(dǎo)體，集成電路。

  一種減少駐波效應(yīng)的方法稱為后曝光烘烤（PEB）。所使用的高溫（100-130°C）會(huì)使光敏化合物擴(kuò)散，從而消除駐波波紋。重要的是要注意，高溫對(duì)光刻膠的有害影響，如上所述的PAB，也適用于PEB。因此，優(yōu)化烘烤條件變得非常重要。此外，曝光產(chǎn)物的擴(kuò)散速率取決于PAB條件-存在溶劑可以增強(qiáng)PEB過(guò)程中的擴(kuò)散。因此，低溫后曝光烘烤可以在給定的PEB溫度下產(chǎn)生更大的擴(kuò)散。

  對(duì)于常規(guī)光刻膠，PEB的主要意義在于消除駐波的擴(kuò)散。對(duì)于另一類稱為化學(xué)增強(qiáng)光刻膠的光刻膠，PEB是產(chǎn)生曝光和未曝光部分光刻膠可溶解度差異的化學(xué)反應(yīng)的必要組成部分。對(duì)于這些光刻膠，曝光產(chǎn)生一小部分強(qiáng)酸，它本身不會(huì)改變光刻膠的溶解度。在后曝光烘烤期間，這種光產(chǎn)生的酸催化了一種反應(yīng)，改變了光刻膠中聚合物樹(shù)脂的溶解度。對(duì)于化學(xué)增強(qiáng)光刻膠，PEB的控制非常關(guān)鍵。

后曝光氮?dú)夂嫦?，PEB無(wú)塵烘箱性能

潔凈度：Class100;     

溫度：RT+15～300℃；
工藝氣體：N2 

計(jì)時(shí)功能：0-99H99M99S 

設(shè)備材質(zhì)：內(nèi)部SUS304不銹鋼           

工作尺寸（mm）：

450×450×450(4)

500×500×550(6)

600×600×700(8)

（可定制）          

網(wǎng)板：活動(dòng)式2塊

無(wú)塵烘箱，百級(jí)潔凈烘箱適用性：

氮?dú)夂嫦湟策m用于IC封裝、光刻膠固化、銀膠固化、電子液晶顯示、LCD、CMOS、MEMS、醫(yī)藥、實(shí)驗(yàn)室等生產(chǎn)及科研.