無塵無氧烘箱在晶圓級封裝工藝的應用

晶圓級封裝工藝流程：

1、涂覆第一層聚合物薄膜，以加強芯片的鈍化層，起到應力緩沖的作用。聚合物種類有光敏聚酰亞胺（PI）、苯并環(huán)丁烯（BCB）、聚苯并惡唑（PBO）。

2、重布線層（RDL）是對芯片的鋁/銅焊區(qū)位置重新布局，使新焊區(qū)滿足對焊料球最小間距的要求，并使新焊區(qū)按照陣列排布。光刻膠作為選擇性電鍍的模板以規(guī)劃RDL的線路圖形，最后濕法蝕刻去除光刻膠和濺射層。

3、涂覆第二層聚合物薄膜，是圓片表面平坦化并保護RDL層。在第二層聚合物薄膜光刻出新焊區(qū)位置。

4、凸點下金屬層（UBM）采用和RDL一樣的工藝流程制作。

5、植球。焊膏和焊料球通過掩膜板進行準確定位，將焊料球放置于UBM上，放入回流爐中，焊料經(jīng)回流融化與UBM形成良好的浸潤結(jié)合，達到良好的焊接效果。

  以上聚合物薄膜工藝中的PI/BCB/PBO聚合物固化過程中無塵無氧烘箱是必要的生產(chǎn)設(shè)備。

無塵無氧烘箱技術(shù)要求：

溫度范圍：RT+50～350/450/550℃

工作室尺寸(cm)：W50×D50×H50；可定制

氧含量指標：≤ 50ppm ，實時檢測

潔凈度：class100/1000

控溫方式：曲線升溫模式；

控溫段數(shù)：多段數(shù)，多工藝；

氮氣控制：可調(diào)式氮氣流量計，全程通氮氣。

輔助降溫：風冷/水冷等快速降溫裝置

真空無塵無氧烘箱

溫度范圍：RT+50～350/450/550℃

工作室尺寸(cm)：W50×D50×H50；可定制

氧含量指標：≤ 50ppm，實時檢測

潔凈度：class100/1000

控溫方式：曲線升溫模式；

控溫段數(shù)：多段數(shù)，多工藝；

氮氣控制：可調(diào)式氮氣流量計，全程通氮氣。

輔助降溫：風冷/水冷等快速降溫裝置

真空度：1torr

真空泵：渦旋無油泵